光氧催化設備的產生原理

 

光氧催化設備的產生原理、光化學和光催化氧化是目前研究較多的高級氧化技術。光催化反應是光作用下的化學反應。光化學反應需要分子吸收***定波長的電磁輻射。

 

當能量高于半導體帶隙的光子照射半導體時，半導體的價帶電子從價帶躍遷到導帶，產生帶正電荷的光致空穴和帶負電荷的光致電子。光致空穴的強氧化能力和光致電子的還原能力導致了半導體光催化劑引發的一系列光催化反應。

 

半導體光催化氧化的羥基自由基反應機理已被***多數學者所認識。也就是說，當半導體顆粒如二氧化鈦與水接觸時，在半導體表面上產生高密度羥基。由于羥基的氧化電位高于半導體的價帶位置，并且是高表面密度的物種，所以光照射半導體表面產生的空穴***先被表面羥基捕獲。